SK海力士量产全球最尖端321层NAND闪存

消息公布后，SK海力士股价大涨超8%。分析称，由于英伟达的Blackwell Ultra和轻量级型号B200A已确定引入HBM3E 12H，对海力士、三星和美光来说，确保在该产品领域的领先地位至关重要，下半年HBM市场的格局将取决于谁先向英伟达提供HBM3E 12H。

NAND存储大厂闪迪表示将于4月1日开始实施涨价，涨幅将超10%，美光、SK海力士、三星相继宣布上调NAND闪存价格。业内人士表示，今年所有存储芯片原厂的价格都在涨，其中，“小容量NAND是这一轮涨价里最先有反应的品类，也是最早反弹的品种”。

天眼查经营风险信息显示，近日，SK海力士半导体有限公司因未依照规定的期限公示年度报告，被无锡国家高新技术产业开发区市场监督管理局列入经营异常名录。

HBM产能供应吃紧，AI服务器正在加单。

SK海力士透露下代产品的进展，将于2025年初推出16层HBM3E芯片，12层HBM3E芯片已于9月开始量产，同时它计划在2028年至2030年间推出HBM5芯片。

2024年公司资本支出将高于原先计划，HBM是新投资主要方向。