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与 HBM3 相比,HBM4 计划将每个堆栈的通道数增加一倍,物理占用空间也更大。HBM4 将指定 24 Gb 和 32 Gb 层,并可选择支持 4 高、8 高、12 高和 16 高 TSV 堆栈。
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与 HBM3 相比,HBM4 计划将每个堆栈的通道数增加一倍,物理占用空间也更大。HBM4 将指定 24 Gb 和 32 Gb 层,并可选择支持 4 高、8 高、12 高和 16 高 TSV 堆栈。
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美银预计,由于SK海力士占市场主导地位,三星HBM3e供货英伟达对SK海力士2024/25财年收益影响较小; 但如果三星HBM4认证成功,将对海力士2026年收益产生明显负面影响,目前预测成功率较低。
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8月份ICT进出口统计数据显示,由于高带宽存储器(HBM)等高附加值产品的需求增加,半导体出口增幅较去年同月大幅增加。而大摩预测,HBM将出现供过于求的情况,根本依据在于IT市场的疲软导致AI需求下降。
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有消息称,因为美国即将限制对中国的HBM供应,引发了中国企业的HBM抢购潮。定制化HBM产品被认为可以解决存储器半导体市场的供过于求问题。
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SK海力士称,采用更新的技术对于未来的发展至关重要,鉴于HBM4所具有的潜在能力,它将为未来定下基调。下一代HBM已吸引苹果、Microsoft等科技公司的极大兴趣。
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待风波结束再入场,赔率、胜率都会最大化。
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SK海力士透露下代产品的进展,将于2025年初推出16层HBM3E芯片,12层HBM3E芯片已于9月开始量产,同时它计划在2028年至2030年间推出HBM5芯片。
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